科技成果轉化現金獎勵信息公示〔2020〕5號——三維相變存儲器知識産權組

作者: 时间:2020-07-01 点击数:

根據《華中科技大學科技人員取得職務科技成果轉化現金獎勵信息公示辦法》,現對我校“三維相變存儲器知識産權組”職務科技成果轉化現金獎勵相關信息公示如下:

一、成果轉化信息

成果名稱:三維相變存儲器知識産權組

成果明細:

1.發明專利:一種相變隨機存儲器,ZL200810197658.0

2.發明專利:用于相變存儲器的矽摻雜的铋碲基存儲材料及制備方法,ZL201110325521.0

3.發明專利:一種相變存儲器芯片測試方法,ZL201110188355.4

4.發明專利:一種相變存儲單元陣列的測試裝置,ZL201110188352.0

5.發明專利:相變存儲器芯片的封裝方法,ZL201110405543.8

6.發明專利:相變存儲器單元的脈沖I-V特性測試方法和裝置,ZL201210154941.1

7.發明專利:一種相變存儲器單元高速擦寫測試系統,ZL201210001014.6

8.發明專利:一種模擬生物神經突觸的單元、裝置及方法,ZL201310001907.5

9.發明專利:一種模擬生物神經元和神經突觸的單元、裝置及方法,ZL201310001461.6

10.發明專利:一種短時與長時存儲器件及存儲方法,ZL201310015283.2

11.發明專利:一種基于相變存儲器的非易失性邏輯門電路,ZL201310727395.0

12.美国发明专利:NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY,US9369130

13.美国发明专利:JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF,US9418733

14.美国发明专利:MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS,US9543510

15.美国发明专利:NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF,US9543955

16.发明专利:一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法,ZL 201410039670.4

17.发明专利:一种低热导率的多层相变材料,ZL 201010595047.9

18.發明專利:一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法,ZL201310698161.8

19.發明專利:一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法,ZL201310698161.8

20.發明專利:一種相變存儲器熱串擾測試方法,ZL201410256649.X

21.發明專利:基于數字雙向脈沖對相變存儲單元非晶態和晶態剪裁的方法。ZL201510462748.8

22.發明專利:一種三維存儲器及其制備方法,ZL201510816435.8

23.發明專利:一種基于磁場觸發的超晶格相變單元的邏輯門電路,ZL201610165799.9

24.發明專利:一種芯片的封裝方法及封裝結構,ZL201711400343.7

25.發明專利:一種相變存儲裸陣列的選址系統,ZL201610470708.2

26.發明專利:一種基于VOx選通管的相變存儲單元,ZL201710332675.X

27.發明專利:一種Ge-Sb-C相變存儲材料、其制備方法和應用,ZL201810097825.8

28.發明專利:一種基于相變存儲器實現雙向數字運算的電路及方法,ZL201610830916.9

29.發明專利:一種含鍺硫系化合物的電化學制備方法,ZL201811506259.8

30.發明專利:一種三維堆疊相變存儲器及其制備方法,ZL201811084770.3

31.專利申請權:一種非對稱環狀微電極相變存儲單元及器件,201710192561.X

32.專利申請權:一種選通管器件及其制備方法,201710902924.4

33.專利申請權:磁性原子摻雜的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相應調控方法,201711144962.4

34.專利申請權:一種模擬相變存儲計算單元的電路模型,201711142328.7

35.專利申請權:一種用于填充垂直矽通孔TSV的複合材料及其填充方法,申請號:201711329523.0

36.專利申請權:一種三維堆疊存儲器及其制備方法,201810541298.5

37.專利申請權:一種相變存儲器的擦寫方法,201810645253.2

38.專利申請權:一種選通管材料、選通管器件及其制備方法,201811488234.X

39.專利申請權:一種基于相變存儲器實現二進制並行加法的方法及系統,201910016687.0

40.專利申請權:一種調控材料中空位缺陷的方法,201910095442.1

41.專利申請權:一種改善選通管器件性能的操作方法,201910123619.4

42.專利申請權:一種選通管器件的預處理方法,201910293381.X

43.專利申請權:一種二維材料相變存儲單元,201910523441.2

44.專利申請權:一種Cr-Sb相變存儲材料及其制備與應用,201910734408.4

45.專利申請權:一種低密度變化相變材料和相變存儲器及制備方法,201910760406.2

46.專利申請權:一種高可靠性相變材料和相變存儲器及制備方法,201910759485.5

47.專利申請權:一種提高成品率的相變存儲器及制備方法,201910759489.3

48.專利申請權:一種選通管器件、存儲器單元及制備方法,201910765152.3

49.專利申請權:二維材料改良的超晶格相變薄膜、相變存儲器及制備方法,201910818242.4

50.專利申請權:一種三維超晶格相變存儲陣列及其制備方法與應用,201910818229.9

51.專利申請權:一種阈值電壓可調的三端超晶格存算一體器及其制備方法,201910818245.8

52.專利申請權:抗應力的超晶格相變存儲單元、其制備方法與相變存儲器,201910816480.1

53.專利申請權:一種雙向生長的超晶格相變單元的制備方法及相變存儲器,201910816518.5

54.專利申請權:相變合金材料、相變存儲器及相變合金材料的制備方法,201910829462.7

55.專利申請權:Ga-Sb-O相變材料及其應用與制備方法,201910828813.2

56.專利申請權:In-Sn-Sb相變材料、相變存儲器及In-Sn-Sb相變材料的制備方法,201910828790.5

57.專利申請權:Ti-Ga-Sb相變材料、相變存儲器及Ti-Ga-Sb相變材料的制備方法,201910828785.4

58.專利申請權:一種三維堆疊相變存儲器及其制備方法,201910828704.0

59.專利申請權:一種多值相變存儲器單元、邏輯電路及多進制運算方法,201910834035.8

60.專利申請權:用于納米級相變存儲器單元的水平電極配置結構,201910906738.7

61.專利申請權:用于納米級相變存儲器單元的垂直電極配置結構,201910906709.0

62.專利申請權:用于納米級相變存儲器單元的新型電極配置結構,201910907575.4

63.專利申請權:納米級相變存儲器單元水平電極配置結構的制造使用方法,201910907571.6

64.專利申請權:納米級相變存儲器單元的垂直電極配置結構的加工方法,201910906751.2

65.專利申請權:納米級相變存儲器單元新型電極配置結構的加工使用方法,馬平、童浩、缪向水

66.專利申請權:一種對相變存儲器單元相變能力的快速檢測方法,201910906710.3

67.專利申請權:用覆蓋層的界面效應調控相變材料晶化阈值的方法,201910906740.4

68.專利申請權:一種相變材料的性能獲取方法、終端設備和計算機可讀介質,201910943144.3

69.專利申請權:一種基于VOx選通管的相變存儲單元,PCT/CN2018/085935

70.專利申請權:一種選通管器件及其制備方法,PCT/CN2018/090244

71.專利申請權:一種三維堆疊存儲器及其制備方法,PCT/CN2018/099519

72.專利申請權:一種相變存儲器的擦寫方法,PCT/CN2018/099520

73.專利申請權:一種三維堆疊相變存儲器及其制備方法,PCT/CN2018/118146

74.專利申請權:一種選通管器件的預處理方法,PCT/CN2019/095696

75.專利申請權:一種改善選通管器件性能的方法,PCT/CN2019/096066

76.專利申請權:一種三維堆疊相變存儲器及其制備方法,PCT/CN2019/107182

77.專利申請權:一種鐵電相變混合存儲單元、存儲器及操作方法,2019108096293

78.專利申請權:一種基于三維相變存儲器的3D卷積運算裝置及方法,2019109942557

79.專利申請權:一種使用電化學沈積進行相變存儲單元集成的方法,201910996019.9

80.專利申請權:基于電化學沈積的深孔超晶格填充方法,201910994998.4

81.專利申請權:一種三維存儲器及其讀取方法,2019111276732

82.專利申請權:一種高密度的相變存儲器三維集成電路結構的制備方法,2019111029256

83.專利申請權:一種高密度的相變存儲器三維集成電路結構,2019111019470

84.专利申请权:SELECTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME,16655191

85.专利申请权:PHASE-CHANGE MEMORY CELL,16679355

86.專利申請權:一種相變材料納米線組裝、測試裝置及方法,201911047936.9

87.專利申請權:一種具有新型結構與材料的VOx選通管,201911046660.2

88.專利申請權:一種具有新型結構與材料的選通管的制備方法,201911046710.7

89.專利申請權:一種具有新型材料和結構的選通管,201911046676.3

90.專利申請權:一種具有新型結構與材料的VOx選通管的制備方法,201911046644.3

91.專利申請權:一種摻雜的Ge-Sb相變材料、相變存儲器及其制備方法,201911046637.3

92.專利申請權:用于提高非晶材料無序性的間歇磁控濺射方法,201910969641.0

93.專利申請權:低密度變化的超晶格相變薄膜、相變存儲器及其制備方法,201911033437.4

轉化方式:普通許可

轉化收入:?300萬元

取得時間:2020年6月

二、現金獎勵信息


序號

人員

崗位職務

貢獻情況

現金獎勵金額(元)

現金獎勵擬發放時間

1

缪向水

教授

成果完成人

? 710909.84

20209

2

童浩

副教授

成果完成人

? 487481.03

20209

3

程曉敏

教授

成果完成人

? 426545.90

20209

4

李震

高級工程師

成果完成人

? 304675.65

20209

5

徐明

教授

成果完成人

? 101558.55

20209

現金獎勵總額:

2031170.97




三、技術合同登記信息

技術合同登記機構:華中科技大學技術合同登記站

技術合同編號:2020-4201-18-000145

技術合同項目名稱:三維相變存儲器芯片産品研發

特此公示,公示期15個工作日,自2020年7月1日起至2020年7月21日。如有異議,請于公示期內以書面形式實名向我辦反映。

聯系人:臧老師

聯系電話:87540925

科技成果轉化辦公室

2020年6月30日


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